歷屆得獎者

2017總統科學獎得獎者
余振華副總經理

余振華副總經理

臺灣半導體製程技術領先全球的重要推手 領導研發團隊獨立開發 改寫世界半導體遊戲規則
  • 余振華博士1955年出生於素有雨港之稱的基隆市。
  • 1977年清華大學物理系畢業後,轉行讀清大材料研究所,退伍後獲美國喬治亞理工學院獎學金,赴美繼續學業,以材料科學為主,並擴及電子、機械、化工等領域。
  • 1987年獲博士學位後,進入首創半導體技術的美國AT&T貝爾實驗室,擔任製程研發工作,在單晶片電漿輔助薄膜蒸鍍技術以及低電壓低功率元件等方面,達成多項先驅性研發成果,為後續數十年半導體技術之創新,打開數扇大門。
  • 1994年余博士攜眷返臺,加入台積電研發部門之製程模組開發單位,負責開發關鍵技術。從1997年起開始台積電銅製程研發工作,建立臺灣第一座銅製程實驗室。並以自力自主的方式,首先開發出0.18微米先進銅製程,奠定了台積電在先進製程技術的基礎。
  • 其後經不斷的努力,解決量產上的多重挑戰,從150奈米世代進入量產;更因在130奈米世代技術開發成功,主導該產業確立銅製程取代鋁製程,成為全球最新主流技術,為台積電與國家帶來巨大的經濟效益;並且開創數度將國內高科技移轉至先進國家同業的例子。

余博士為世界級次微米IC後段連線製程(Interconnect) 創新技術權威,先進半導體製程既複雜且困難,至本技術開發完成,已經獲得通過190項美國專利與 173項臺灣專利,為台積電建立兼具寬廣與深度的矽智財。

除了上述半導體後段製程外,亦涵蓋關鍵性前段製程;多項專利技術已應用於量產,也是與競爭者交互授權時的台積電關鍵技術。

傑出的科學創新表現,自1996年起連續八年榮獲台積電優良專利創新發明獎,並於2002年及2003年獲得台積電董事長頒發的歷年來最佳專利獎,及2001年國家發明創作獎、2003年行政院傑出科學與技術人才獎、2004年經濟部產業科技發展獎等政府獎項。

 

余博士服務台積電超過20年,成功研發銅導線/低介質材料的互聯技術,從0.13微米到40奈米領先競爭者。並新創晶圓級系統封裝技術研發,開發異質微系統的2D/3D整合技術,他創新的研發成果CoWoS,InFO-PoP及TSV技術領先全球,可廣泛應用於高效能高頻寬,低耗能的微系統晶片,促使台積電成為iPhone 7的獨家晶片供應商。預期未來在智慧手機人工智慧,無人車等系統晶片的應用特大幅增加,因此提高台積電的競爭力,也延續臺灣在全球半導體市場的領先地位。

 

余博士長期鑽研半導體領域,帶領臺灣台積電率先成功研發銅導線/低介質互連技術,協助台積電坐擁晶圓代工龍頭,亦帶領國內下游封裝測試廠商,成為世界晶圓封裝領導者,產業鏈在臺灣形成完整聚落。余博士領先以矽晶穿孔技術整合IC與感應元件,實現手機移動支付,將全球開啟3DIC時代,尤其是,3DIC封裝是台積電首開設備國內自費的例子,帶領國內上下游相關廠商投入,逐漸形成一個封裝設備的供應鏈,增強了台積電長久的國際競爭力,並創造國內就業機會與提升GDP,對臺灣的國際形象之提升貢獻卓著。

 

余博士為半導體材料領域的專家,過去20多年他在台積電的努力成就也彰顯了臺灣在電子材料的人才及科技水準是世界頂尖的。在1990到2000年初,余博士在銅製程關鍵的低介電材料(low-K)的精準判斷和產業實踐對台積電從0.13微米逐步走向領先有很大的貢獻。銅製程的成功是台積電重要的轉捩點,更重要的是當封裝成為半導體發展的瓶頸時,他能發揮材料與應用領域的才能,實現CoWoS及 InFO的獨創技術,使積體電路與其封裝結合起來,在全球開啟3D-IC的時代;亦使台積電能進入系統整合的新境界。除過去2年使台積電在智慧手持裝置及機器學習領域產生巨大營收外,更能在未來延伸摩爾定律,使臺灣的優勢產業持續發展、領先全球。

 

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